Трансформация границ включение-матрица, образование здесь «сателлитных» микеро или наночастиц.

Abstract

Проскальзывание вдоль границ включение-матрица сопровождается достаточно интенсивным диффузионным взаимодействием между включениями и стальной матрицей, поскольку дислокации, движущиеся как в самой границе, так и в прилегающих областях матрицы и пластичных включений, облегчают продольную и поперечную диффузию элементов, входящих в состав контактирующих фаз относительно границы их раздела. Кроме того, атомы, входящие в состав включения или матрицы и покинувшие свои кристаллические решетки, уже как электронные дефекты, становятся объектами внутренне электростимулированного взаимодействия как с дислокациями (межфазными дислокациями в границе включение-матрица, а также внутризеренными дислокациями в пластичном включении либо матрице), так и между собой. В результате возникают зоны насыщения матрицы элементами включения, а также зоны насыщения поверхностных слоев включения элементами стальной матрицы, причем в этих зонах образуются частицы новых нанофаз, состав которых зависит от химического состава исходной материнской фазы (включения или матрицы) и контактирующей фазы (соответсвенно матрицы или включения), а также от температуры и времени проскальзывания.